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Si晶體基片
產品概述：
化學符號為Si,主要用途有：制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料
免責聲明： 本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。 如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
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產品名稱

Si 單晶基片
技術參數

晶體結構：               

立方晶系

晶格常數：

a=5.4301 ? 

摻雜類型：

N型不摻雜、N型摻P、N型摻As、N型摻Sb、P型摻B       

硬度（mohs):

6.5

電阻率：

10000～0.001Ω.cm

超導率（w/m.k):

149

密度：

2.329（g/cm3）

熔點：

1414℃

熱膨脹系數（/k):

2.6×10-6

生長方法：

CZ和FZ
產品規格

常規晶向：                     

、、 

常規尺寸：

Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm        

拋光情況：

單拋、雙拋、細磨

拋光面粗糙度：

< 10A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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