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InP晶體基片
產品概述：
InP非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管和異質結雙極晶體管（HBT）等方面。InP基器件在毫米波、通訊、防撞系統、圖像傳感器等領域有廣泛應用
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產品名稱

磷化銦(InP)晶體基片
技術參數

晶體結構：             

立方晶系                       

晶格常數：

 a =5.4505 ?

摻雜：

None；Sn；S；Fe：Zn

密度：

4.81g/cm3

硬度：

3 Mohs

導電類型：

N；N；N；Si；P

折射率：

3.45

載流子濃度：

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位錯密度：

<5x104 cm-2

生長方法：

LEC

熔點：

1062℃

彈性模量：

7.1E11dyn  cm-2
產品規格

常規晶向：             

常規尺寸：

2"x0.5mm  10x10x0.5mm

拋光情況：

單拋

表面粗糙度：

<15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會有小黑點，微小氣泡等
標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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