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Si片外延AIN薄膜
關鍵字：
Si+AlN dia4
產品概述：
Si片外延AlN膜是通過HVPE方法生長，其實驗襯底效果已日漸取代AlN單晶基片
免責聲明： 本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。 如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
產品名稱

Si片外延AlN膜
產品簡介

Si片外延AlN膜是通過HVPE方法生長，其實驗襯底效果已日漸取代AlN單晶基片
技術參數

AlN厚度：

200nm ±10%, 單面鍍膜

正面：

 <2nm RMS,    as-grown

背面：

silicon as received

AlN晶向：

(00.2)      

宏缺陷密度：

<10/cm^2

薄膜襯底：

Si [111] N type,  dia 4"  x0.5 mm, res: 1~10 ohm-cm, 單拋
常規尺寸

dia 4" x0.5 mm,單拋
標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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