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Ti+SiO2+Si+Au薄膜
產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
Silicon Wafer Specifications
  • Film:         Au/Ti/ SiO2 on Si substrate

    • Au(111)=50 nm

    • Ti=2 nm

    • SiO2=300 nm

    • Si(100) P type B doped ~525 um Prime Grade

  • Resistivity:                  1-20 ohm.cm

  • Substrate Size:            4" diameter +/- 0.5 mm x 0.525 mm

  • Polish:                        one side polished

  • Surface roughness:      < 10 A RMS

  • Maximum Thermal Budget of Au film:  below 200 degree C
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