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Ta+SiO2+Si+Cu薄膜
產品概述：
免責聲明： 本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。 如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
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Specifications

·         Cu <111> coated Si Wafer (4 inch size)

·         Thickness of highly oriented polycrystalline Cu <111> film: 400 nm

·         Thickness of Ta diffusion barrier: 20-50 nm

·         4 inch dia x0.525 mm thickness Si wafer (Prime Grade) with thermal oxide: 300 nm thk

·         P type, B doped, <100> orientation, SSP

·         Resistivities: 1-20 ohm-cm

·         Surface Roughness:   as grown , N/A

·         Package: One 1000 class clean room with 100 class plastic bag
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