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Al2O3+GaN薄膜
- 關鍵字：
- 國外進口
- 產品概述：
- MOCVD方法制作AL2O3為襯底的GaN外延薄膜。國外進口材料，品質優質，歡迎選購
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
|
AL2O3+GaN?薄膜（進口料） |
| 產品簡介
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MOCVD方法制作AL2O3為襯底的GaN外延薄膜。國外進口材料，品質優質，歡迎選購。 |
| 技術參數
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產品名稱: | GaN 厚度4.5um | GaN 厚度2um ，3um | 摻雜類型: | N /Si | P/Mg | 常規尺寸： | dia2" +/-0.25mm； | dia2" +/-0.25mm； | 電阻: | 2.5E-3ohm-cm | 2.0-5.0 | 載流子濃度： | 1E19/cc | / |
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| 產品規格
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常規規格：dia2″ |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒包裝 |
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