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AL2O3+GaN薄膜
- 關鍵字：
- P型摻Mg， R：3-5Ω-cm
- 產品概述：
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
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| 產品名稱
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Al2O3+GaN外延薄膜（Mg-doped?P-type?GaN?Epitaxial?Template?on?sapphire）
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| 技術參數
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Al2O3參數： | c-Axis (0001) off angle 0.2O±0.1 @ M-plane，dia50.8 mm ± 0.25 mm,單拋 | GaN厚度： | 3.0 um +/- 10% | 電阻率： | 3- 5 Ω-cm | 載流子濃度： | 1x10^17 ~3x10^18/cm3 | 空穴遷移率： | 20cm-2/V | RMS： | <1nm | FWHM of RC for(002)： | ~~350 arcsec | FWHM of RC for(102)： | ~~450 arcse |
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| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝和單片盒裝 |
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