- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
 
    
 
             
            
            
                
                
                    CdTe晶體
                    
                    
                     
                        - 產(chǎn)品概述:
- 碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測(cè),紅外光學(xué),外延基片,蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
 
             
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            技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
            
                
                    
                        
                        
                            | 產(chǎn)品名稱 | 碲化鎘(CdTe)晶體基片 
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                            | 技術(shù)參數(shù) | | 晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 |  | 晶格常數(shù): | a = 6.483? |  | 密度: | 5.851g/cm3 |  | 熔點(diǎn): | 1047℃ |  | 熱導(dǎo)率: | 6.3W /m.k at 300K |  | 熱膨脹系數(shù): | 5.9x10-6/K |  | 透過(guò)波長(zhǎng): | 0.85 ~ 29.9μm |  | 折射率:        | 2.65@10μm                        |  | 介電常數(shù): | 11@1MHZ | 
 
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                            | 產(chǎn)品規(guī)格 | | 常規(guī)晶向:       | (100)、(110)、(111)              |  | 晶向公差: | ±1° |  | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm |  | 拋光情況: | 單拋、雙拋 |  | 拋光面粗糙度: | <15A | 
 注:也可提供多晶的,尺寸可按照客戶要求加工,請(qǐng)發(fā)郵件確定信息。
 
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                            | 晶體缺陷 | 人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 | 
                        
                        
                            | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 | 
                        
                    
                 
                
                
                    
                
                
                    
                
                
                    
                
             
            
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