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GaAs晶體
產品概述：
砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
產品名稱

砷化鎵(GaAs)晶體基片
技術參數

晶體結構：              

立方晶系

晶格常數：

a=5.6534?

導電類型：

N型摻Si；N型摻Te；不摻雜；P型摻Ga         

熔點：

1237°C

禁帶寬度:

1.4電子伏

介電常數：13.1

位錯密度：

<5x103cm^2 等

遷移率：

(3500-3600)cm2/vs 等

生長方法:

VGF生產方法
產品規格

常規晶向：              

<100>、<110>、<111>

常規尺寸：

10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm；           

拋光情況：

單拋、雙拋

表面粗糙度：

<15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋
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