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GaP晶體
- 產品概述：
- 用作生產紅、綠色LED的主要襯底材料，也是生產LED用量最大的襯底材料。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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磷化鎵(GaP)晶體基片 |
| 技術參數
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數： | a=5.4505 ? | 密度： | 4.13 g/cm3 | 熔點： | 1480 ℃ | 熱膨脹系數： | 5.3×10-6/℃ | 熱傳導率： | 2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3 | 摻雜類型： | N型摻S ； N型不摻雜 | 電阻率W.cm | 0.03 ~0.3 | 生長方法： | 提拉法 |
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| 產品規格
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常規晶向： | | 公差： | ±0.5o | 常規尺寸： | dia2"x0.35mm ；10x10x0.35mm | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
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