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砷化銦(InAs)晶體基片
產品概述:
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技術參數?

晶體結構

立方  a =5.4505 ?

生長方法:

CZ

導電類型:

N型

摻雜類型:

不摻雜

載流子濃度:

2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率:

>18500cm2/V.S 


常規(guī)尺寸

常規(guī)晶向:<100>、<111>;

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況:單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

備注

1000級超凈室100級超凈袋

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